g-C3N4 是一种十分重要的光催化材料,因其优异的物理、化学、光学、电学性能而广受关注,被普
遍认为是可见光催化反应领域最具发展潜能的材料之一。然而,g-C3N4 虽然有占据优势的可见光响应,但是
因其比表面积小的缺陷而不能满足大范围的实际应用。目前可通过一系列的改性策略来调控光生电子 - 空穴对
的分离和载流子的迁移,来提高其光催化活性,例如前驱体改性、提高结晶度、元素掺杂、与半导体复合、形
貌结构调控等。本文介绍了 g-C3N4 光催化材料的分子结构特征、性能优势以及其制备方法,系统总结了目前
应用广泛的修饰改性策略并加以举例说明,最后,对 g-C3N4 光催化材料面临的科学技术挑战和未来研究方向
作出探讨。