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Journal | [J] 工程技术与发展 Volume 5, Issue 10. 2023.
PCW系统对碳化硅长晶工艺的应用分析
作者 : 杨 超, 袁 钢, 俞 春辉
DOI: 10.12361/2661-3506-05-10-143518
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摘要 / Abstract
碳化硅,因其宽禁带、高热导率及更大的击穿电压,被作为第三代半导体的代表.然而碳化硅单晶超过220种晶 型,由于没有熔点,晶体无法用熔体提拉法进行制备;高温后升华容易分解成气态Si,Si2C,SiC和固态C.因此,SiC晶体的 扩径生长受到温度和流动的影响,这会导致晶体边缘的完整性和晶型的单一性.本文拟提供一种稳定的冷却水系统,保证设 备的温度精确控制,减小温场对扩径生长的影响.
关键词 / Keywords
碳化硅;冷却水系统;稳定性
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