在微电子生产中，要进行多次的光刻。光刻工艺是利
用光刻胶的感光性和耐蚀性，在硅、其他半导体基质材料或金属
膜上复印并刻蚀出与预先刻在掩模版上的图形完全对应的几何图
形。随着集成电路产业进入纳米工艺，光刻工艺技术也在不停地
追逐精细化操作。要把器件控制做成硅片氧化和外延的，光刻作
为横向控制质量性能方面还是很好的。所以影响器件性能的因素
不外乎是光刻的质量与精度，当然这个也是可靠性的测定，更加
对成品率是个很好的考量因素。本课题就是探讨它的核心工艺——
光刻工艺展开研究和分析。并在此基础上对光刻工艺中较常见的
质量问题进行初步探讨并浅显地分析以下先进晶圆制造中光刻工
艺地发展前景。
