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Journal | [J] 工业技术 Volume 4, Issue 3. 2022.
硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备分析
作者 : 李 广伟
DOI: 10.12361/2661-3654-04-03-83099
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摘要 / Abstract
本文论述了：1）将本征导电硅环用作种晶，并通过切克劳斯基法拉制等直径的具有P型、n型或本征导电 的硅管，2）将P型或n型硅管用作热载体，在1050~1100时，将高纯氢与三氯氢硅在还原炉中进行多次定向固化，从 而得到纯度99.99999%以上的本征或导电硅管；3）将本征导电硅管作为容器，将高纯度99.9999%的物理冶金方法所 制得的硅材料用P型或N型硅管作为容器，填充到由物理冶金法合成的硅，在1050-1100时，通过区熔单晶硅炉进行 多次定向凝固，得到纯度99.99999%的硅管多晶硅。
关键词 / Keywords
硅管；硅管西门子多晶硅；硅管物理冶金多晶硅
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