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DOI: 10.12361/2661-3506-05-10-143518

PCW系统对碳化硅长晶工艺的应用分析

杨超, 袁钢, 俞春辉

中国电子系统工程第二建设有限公司

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摘要：碳化硅,因其宽禁带、高热导率及更大的击穿电压,被作为第三代半导体的代表.然而碳化硅单晶超过220种晶型,由于没有熔点,晶体无法用熔体提拉法进行制备;高温后升华容易分解成气态Si,Si2C,SiC和固态C.因此,SiC晶体的扩径生长受到温度和流动的影响,这会导致晶体边缘的完整性和晶型的单一性.本文拟提供一种稳定的冷却水系统,保证设备的温度精确控制,减小温场对扩径生长的影响.

关键词：

碳化硅;冷却水系统;稳定性

Universe Scientific Publishing

ISSN：2661-3492

年,卷(期)：2023,5(10)

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