先进晶圆制造中光刻工艺的研究与分析

智研平台会员

登录机构账号

复制成功

设置

万方会员

暂未开通会员

开通即享超值福利、会员权益
优质内容推荐

立即开通

个人中心

我的智研

退出登录

简繁

搜索

DOI: 10.18686/gdjy.v3i5.31145

先进晶圆制造中光刻工艺的研究与分析

丰泽妍

邮电大学，江苏南京

全文直达

引用

打印

摘要：在微电子生产中，要进行多次的光刻。光刻工艺是利用光刻胶的感光性和耐蚀性，在硅、其他半导体基质材料或金属膜上复印并刻蚀出与预先刻在掩模版上的图形完全对应的几何图形。随着集成电路产业进入纳米工艺，光刻工艺技术也在不停地追逐精细化操作。要把器件控制做成硅片氧化和外延的，光刻作为横向控制质量性能方面还是很好的。所以影响器件性能的因素不外乎是光刻的质量与精度，当然这个也是可靠性的测定，更加对成品率是个很好的考量因素。本课题就是探讨它的核心工艺—— 光刻工艺展开研究和分析。并在此基础上对光刻工艺中较常见的质量问题进行初步探讨并浅显地分析以下先进晶圆制造中光刻工艺地发展前景。

关键词：

光刻；工艺；微电子；曝光；光刻机

Universe Scientific Publishing

ISSN：2661-328X

年,卷(期)：2020,3(5)