SIC MOSFET器件设计与可靠性研究

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DOI: 10.12361/2661-3476-04-05-24

SIC MOSFET器件设计与可靠性研究

崔严匀, 袁敏杰, 王训辉, 章安娜

无锡华润上华科技有限公司

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摘要：随着科技的发展，近年来，碳化硅电力电子技术已经发展成为一种更加高效、高频和高温的应用场景下硅技术的最有利替代者。相较于传统的硅IGBT，碳化硅无论是在材料性能方面还是在对温度的适宜性方面，都有了较大的提高，同时也进一步提高了电子系统的效率和功率目的。就目前来看SIC MOSFET的应用范围也更加广泛，具体体现在电动汽车、混合电动汽车等大功率设备中。其中随着电动汽车的高速发展，如何提高汽车的持续续航能力成为电动汽车产业发展中亟待解决的问题。在此背景之下，对于SIC MOSFET的相关应用研究就变得十分重要。

关键词：

SIC MOSFET；器件设计；可靠性；材料；特点；应用

Universe Scientific Publishing

ISSN：2661-3484

年,卷(期)：2022,4(5)