硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备分析

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DOI: 10.12361/2661-3654-04-03-83099

硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备分析

李广伟

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摘要：本文论述了：1）将本征导电硅环用作种晶，并通过切克劳斯基法拉制等直径的具有P型、n型或本征导电的硅管，2）将P型或n型硅管用作热载体，在1050~1100时，将高纯氢与三氯氢硅在还原炉中进行多次定向固化，从而得到纯度99.99999%以上的本征或导电硅管；3）将本征导电硅管作为容器，将高纯度99.9999%的物理冶金方法所制得的硅材料用P型或N型硅管作为容器，填充到由物理冶金法合成的硅，在1050-1100时，通过区熔单晶硅炉进行多次定向凝固，得到纯度99.99999%的硅管多晶硅。

关键词：

硅管；硅管西门子多晶硅；硅管物理冶金多晶硅

Universe Scientific Publishing

ISSN：2661-3662

年,卷(期)：2022,4(3)