SIC MOSFET器件设计与可靠性研究

崔 严匀, 袁 敏杰, 王 训辉, 章 安娜
无锡华润上华科技有限公司

摘要

随着科技的发展，近年来，碳化硅电力电子技术已经发展成为一种更加高效、高频和高温的应用场景下
硅技术的最有利替代者。相较于传统的硅IGBT，碳化硅无论是在材料性能方面还是在对温度的适宜性方面，都有
了较大的提高，同时也进一步提高了电子系统的效率和功率目的。就目前来看SIC MOSFET的应用范围也更加广
泛，具体体现在电动汽车、混合电动汽车等大功率设备中。其中随着电动汽车的高速发展，如何提高汽车的持续
续航能力成为电动汽车产业发展中亟待解决的问题。在此背景之下，对于SIC MOSFET的相关应用研究就变得十
分重要。

关键词

SIC MOSFET；器件设计；可靠性；材料；特点；应用

参考

[1] 黄宇 .1.2kV SiC MOSFET 器件设计及可靠性研究

[D]. 东南大学，2015.

[2] 郭元旭 . 高压 4H-SiC MOSFET 器件设计与可靠性

研究 [D]. 电子科技大学，2018.

[3] 陈喜明 . 高压场控型碳化硅功率晶体管的设计与

制造 [D]. 电子科技大学，2021.

[4] 曹蕾 . 碳化硅功率 MOSFET 器件短路特性研究 [D].

浙江大学，2020.

[5] 包梦恬 . 碳化硅 LDMOS 器件高压新结构研究 [D].

哈尔滨工程大学，2019.

[6] 李焕 . 基于 SiC MOSFET 的浪涌可靠性研究 [D]. 浙

江大学，2020.

[7] 赵云龙 .4H-SiC MOS 器件栅氧界面特性研究 [D].

西安电子科技大学，2020.

[8] 王延浩 . 温湿度环境下功率器件耐压可靠性研究

[D]. 华北电力大学（北京），2021.

[9] 杨啸 .SiC 功率 MOSFET 器件短路及 UIS 特性分析

[D]. 电子科技大学，2021.

[10] 何艳静 . 高性能 4H-SiC 功率 VDMOSFET 器件设

计及关键工艺研究 [D]. 西安电子科技大学，2018.