PCW系统对碳化硅长晶工艺的应用分析

杨 超, 袁 钢, 俞 春辉
中国电子系统工程第二建设有限公司

摘要

碳化硅,因其宽禁带、高热导率及更大的击穿电压,被作为第三代半导体的代表.然而碳化硅单晶超过220种晶
型,由于没有熔点,晶体无法用熔体提拉法进行制备;高温后升华容易分解成气态Si,Si2C,SiC和固态C.因此,SiC晶体的
扩径生长受到温度和流动的影响,这会导致晶体边缘的完整性和晶型的单一性.本文拟提供一种稳定的冷却水系统,保证设
备的温度精确控制,减小温场对扩径生长的影响.

关键词

碳化硅;冷却水系统;稳定性

参考

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