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硅管西门子法多晶硅及物理冶金法多晶硅制备分析

李 广伟
320302196712303642

摘要


本文论述了:1)将本征导电硅环用作种晶,并通过切克劳斯基法拉制等直径的具有P型、n型或本征导电
的硅管,2)将P型或n型硅管用作热载体,在1050~1100时,将高纯氢与三氯氢硅在还原炉中进行多次定向固化,从
而得到纯度99.99999%以上的本征或导电硅管;3)将本征导电硅管作为容器,将高纯度99.9999%的物理冶金方法所
制得的硅材料用P型或N型硅管作为容器,填充到由物理冶金法合成的硅,在1050-1100时,通过区熔单晶硅炉进行
多次定向凝固,得到纯度99.99999%的硅管多晶硅。

关键词


硅管;硅管西门子多晶硅;硅管物理冶金多晶硅

全文:

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参考


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DOI: http://dx.doi.org/10.12361/2661-3654-04-03-83099

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